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PDTD113ZK,115 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | NXP Semiconductors | 168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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PDTD113ZK,115参数 产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明:TRANS NPN W/RES 50V SC-59 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):1k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 50mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大):500nA 频率 - 转换:- 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 |
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